特許
J-GLOBAL ID：200903069914998536
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073486
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269213
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】配線材に対するバリア性の向上を図ると共に、CMP時の膜剥がれによる不良の発生を抑制する。【解決手段】配線11を覆うように形成された絶縁層12に、配線11に接続するヴィアホール13及び配線溝14を形成する。そして、全面にTiN層15を堆積する(図1(a))。微量の酸素を含む窒素雰囲気中でアニールを行い、TiN層15の表面にTi酸化物16を形成する(図1(b))。Ti酸化物16の表面にAl層17を形成する(図1(c))。真空アニールを行ってAl層17とTi酸化物16とを反応させて、Al層17とTi酸化物16との界面にAl酸化物層18を形成する(図1(d))。そして、Cuを全面に堆積した後、CMPを行って絶縁層12上のCuを除去して、ヴィアホール13及び配線溝14に選択的にCuを埋め込んで、Cuダマシン配線を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁層の溝或いは孔を形成する工程と、前記絶縁層の表面に、第1の金属元素を少なくとも含む第1の導電層を形成する工程と、酸化雰囲気に暴露することにより、第1の導電層の表面に第1の金属元素の酸化物層を形成する工程と、第1の金属元素の酸化物層の表面、第1の金属元素より酸化物の生成自由エネルギーが低い第2の金属元素を少なくとも含む第2の導電層を堆積する工程と、第1の金属元素の酸化物層を第2の金属元素により還元することにより、第1の導電層と第2の導電層との界面に第2の金属元素の酸化物層を形成する工程と、前記絶縁層の溝或いは孔内に配線を埋め込み形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (39件)：
5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033HH35
, 5F033JJ08
, 5F033JJ09
, 5F033JJ11
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033JJ34
, 5F033JJ35
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033MM15
, 5F033NN05
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP11
, 5F033PP15
, 5F033PP21
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ08
, 5F033QQ19
, 5F033QQ48
, 5F033QQ73
, 5F033QQ75
, 5F033QQ76
, 5F033QQ85
, 5F033QQ89
, 5F033RR03
, 5F033XX12
