特許
J-GLOBAL ID：200903069917102800
半導体不揮発性メモリトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068482
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321740
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 MONOS型半導体不揮発性メモリトランジスタで、データ保持特性を低下することなく、データ書き換え速度を速くする。【解決手段】 半導体基板1上に、トンネル絶縁膜31とメモリ窒化膜5とトップ酸化膜6とからなるメモリ絶縁膜8を介してメモリゲート電極9を設けた半導体不揮発性メモリトランジスタにおいて、そのトンネル絶縁膜31を、酸素と窒素を含むシリコン窒化酸化膜3と酸素リッチシリコン窒化酸化膜4とによって構成し、トンネル絶縁膜31の半導体基板1との界面近傍の窒素含有量を、メモリ窒化膜5との界面近傍の窒素含有量より多くする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、トンネル絶縁膜とメモリ窒化膜とトップ酸化膜とからなるメモリ絶縁膜を介してメモリゲート電極を設けてなる半導体不揮発性メモリトランジスタであって、前記トンネル絶縁膜は、酸素と窒素を含むシリコン窒化酸化膜からなり、前記半導体基板との界面近傍が、前記メモリ窒化膜との界面近傍より窒素含有量が多いことを特徴とする半導体不揮発性メモリトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
