特許

J-GLOBAL ID：200903069923989191

半導体装置

発明者： 井 上 直 之 ,  齋 藤 渉 ,  相 田 聡 ,  高 下 正 勝 ,  荒 谷 孝 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  加賀東芝エレクトロニクス株式会社
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  箱崎 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-139603
公開番号（公開出願番号）：特開2009-289904
出願日： 2008年05月28日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：

【課題】低いオン抵抗を有する高耐圧の半導体パワーデバイスを提供する。【解決手段】セル領域の外側に位置する終端領域において、高濃度および低濃度の2段構成でなるガードリング層13,14をN-ドリフト層の表面層に選択的に形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の表面と、前記第1の表面とは逆の第2の表面とを有し、前記第1の表面と前記第2の表面との間を電流が流れるよう構成されたセル領域と、前記セル領域を周回するように前記セル領域から見て外側に位置する終端領域とを含む第1導電型の第1の半導体層と、 前記終端領域における前記第1の半導体層の表面層に選択的に形成される第2導電型の第1のガードリング層と、 前記第1のガードリング層の両側面のうち前記セル領域から見て外側の側面と前記第1のガードリング層の底面とが交差する領域の前記第1のガードリング層部分を少なくとも覆うように前記第1の半導体層の表面層に選択的に形成され、高電圧の印加により完全に空乏化する程度の不純物濃度を有する第2導電型の第2のガードリング層と、 を備える半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/91 D ,  H01L29/06 301D

引用特許：

出願人引用 (1件)

• トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-041309   出願人：新電元工業株式会社