特許
J-GLOBAL ID：200903054548795840

トランジスタ

発明者：
宍戸 寛明

宍戸 寛明 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-041309
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246595
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】高耐圧で導通抵抗の低いトランジスタを提供する。【解決手段】第1の導電型のドレイン層12上に第2の導電型の耐圧層13を形成し、耐圧層13内に、耐圧層13表面からの拡散によって、部分的に第1の導電型の導電領域26aを形成する。導電領域26aの底部はドレイン層12と接触させる。また、耐圧層13内に、第2の導電型のベース領域33a、33bを形成し、ベース領域33a、33b内に、第1の導電型のソース領域37aを形成し、トランジスタ1を構成させる。耐圧層13に含まれる第2の導電型の不純物濃度は、ドレイン層12に含まれる第1の導電型の不純物濃度よりも高くされている。その結果、本発明のトランジスタを逆バイアス状態に置いたときに、トランジスタの降伏電圧が高くなっている。
請求項（抜粋）：
第1の導電型のドレイン層と、前記ドレイン層上にエピタキシャル成長によって形成された第2の導電型の耐圧層とを少なくとも有する半導体基板と、前記半導体基板の前記耐圧層側から部分的に拡散された不純物によって形成され、底部が前記ドレイン層に接続された第1の導電型の導電領域と、前記半導体基板の前記耐圧層側から部分的に拡散された不純物によって形成された第2の導電型のベース領域と、前記ベース領域内に形成された第1の導電型のソース領域と、前記ソース領域と前記導電領域との間に位置する前記ベース領域の表面をチャネル領域としたときに、少なくとも前記チャネル領域表面に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート酸化膜上に配置されたゲート電極膜と、前記ソース領域と前記ベース領域に電気的に接続されたソース電極と、前記ドレイン層に電気的に接続されたドレイン電極とを有し、前記耐圧層の不純物濃度は、前記ドレイン層の不純物濃度よりも高くされたトランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 656 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/417
FI (8件)：
H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 655 C ,  H01L 29/78 656 A ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/48 Z ,  H01L 29/50 B
Fターム (27件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104FF02 ,  4M104FF28 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG15 ,  4M104HH16 ,  5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA03 ,  5F048BA05 ,  5F048BB05 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BH01
引用特許：
審査官引用 (14件)
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