半導体発光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-227444
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046137
出願日： 2001年07月27日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】反射壁にAgを使用してもマイグレーションを発生することのない高輝度な半導体発光装置を提供する。【解決手段】絶縁性の基板10の中心部にすり鉢状のスルーホール11を設け、サブマウント素子12に導通搭載した半導体発光素子13をこのスルーホール11の中に下方から差し込んだものである。スルーホール11は、光の取り出し方向に向かって拡大する形状であって、その内面をAgめっきによって形成した反射壁14とする。反射壁14は、半導体発光素子13に接続するp電極15aおよびn電極15bと絶縁されているため、これらの電極の電圧がかかることがなく、Agマイグレーションが発生することがない。

請求項（抜粋）：

半導体発光素子の周囲に反射壁を形成した半導体発光装置において、前記半導体発光素子に接続する電極と絶縁して前記反射壁に金属めっきを形成したことを特徴とする半導体発光装置。

Fターム (5件)：

5F041AA44 , 5F041DA07 , 5F041DA19 , 5F041DA33 , 5F041DA36

引用特許：

審査官引用 (3件)

発光装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-320098 出願人：シャープ株式会社
光源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-066193 出願人：三菱電機株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-125033 出願人：豊田合成株式会社

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