特許

J-GLOBAL ID：200903069946102615

シリコン酸化膜の製造方法

発明者： 秋山 昌次
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 大石 皓一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-201537
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019387
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】 短時間に、常に一定の組成比を有する良質なシリコン酸化膜を形成することができるシリコン酸化膜の製造方法を提供する。【解決手段】 水または水溶液を、374°C以上に加熱し、218気圧(22.1MPa)以上に加圧して得た超臨界水を用いて、シリコンまたはシリコン化合物を酸化することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

水または水溶液を、374°C以上に加熱し、218気圧(22.1MPa)以上に加圧して得た超臨界水を用いて、シリコンまたはシリコン化合物を酸化することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/316

FI (1件)：

H01L21/316 U

Fターム (6件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF63 ,  5F058BF69 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 異物除去方法,膜形成方法,半導体装置及び膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-018265   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜形成方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049000   出願人：ソニー株式会社