特許
J-GLOBAL ID：200903069946871139
カーボンナノチューブの製造方法、カーボンナノチューブデバイスおよび電気二重層キャパシタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-082304
公開番号（公開出願番号）：特開2004-284921
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】簡単なプロセスでカーボンナノチューブを形成することができるとともに量産化および大面積化が可能なカーボンナノチューブの製造方法、それを用いたカーボンナノチューブデバイスおよび電気二重層キャパシタを提供することである。【解決手段】Ni、CoまたはFe等の触媒金属からなる触媒金属基板1上に、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の成膜法によりTiを主成分とする非触媒金属層2を形成する。それにより、触媒金属基板1および非触媒金属層2の積層構造からなる基板100が形成される。非触媒金属層2の膜厚は50Å以上400Å以下であることが好ましい。基板100を熱CVD装置の容器内にセットし、炭化水素ガスを原料ガスとして含む雰囲気中で加熱することにより、触媒金属層2上にカーボンナノチューブを成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一面側にカーボンナノチューブの成長を促進する作用を有する触媒金属からなる第1の金属層を含む基板を用い、前記基板の前記第1の金属層上にチタンを主成分とする非触媒金属からなる第2の金属層を形成し、炭化水素ガスを原料ガスとして含む雰囲気中で熱分解法により前記基板上にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (3件)：
C01B31/02
, B82B1/00
, H01G9/058
C01B31/02 101F
, B82B1/00
, H01G9/00 301A
4G146AA11
, 4G146BA12
, 4G146BB23
, 4G146BC03
, 4G146BC23
, 4G146BC26
, 4G146BC27
, 4G146BC37B
, 4G146BC38B
, 4G146BC43
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G146DA47
