特許
J-GLOBAL ID：200903069958461300

薄膜トランジスタ、表示素子および投射型表示装置ならびに表示素子の製造方法

発明者：
松島 康浩

松島 康浩 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212768
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033480
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】耐光性に優れ、且つ、大きなオン電流および十分に高いソース・ドレイン耐圧を有する薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 第1ゲート電極、第1ゲート絶縁層、半導体層、第2ゲート絶縁層、および第2ゲート電極が、基板上にこの順で形成されている。半導体層は、チャネル領域と、ソース領域およびドレイン領域として機能する高濃度不純物領域と、高濃度不純物領域とチャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域とを有する。第1ゲート電極は、遮光性を有する材料から形成されており、少なくともチャネル領域および低濃度不純物領域に対向する領域に形成されている。
請求項（抜粋）：
第1ゲート電極、第1ゲート絶縁層、半導体層、第2ゲート絶縁層、および第2ゲート電極が基板上にこの順で形成された薄膜トランジスタであって、前記半導体層は、チャネル領域と、ソース領域およびドレイン領域として機能する高濃度不純物領域と、前記高濃度不純物領域と前記チャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域とを有し、且つ、前記第1ゲート電極は、遮光性を有する材料から形成されており、少なくとも前記チャネル領域および前記低濃度不純物領域に対向する領域に形成されている薄膜トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1345 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 346 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336
FI (10件)：
G02F 1/1345 ,  G09F 9/00 346 C ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 617 N ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 619 B
Fターム (90件)：
2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA31 ,  2H092JA32 ,  2H092JA36 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB54 ,  2H092JB56 ,  2H092JB66 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA27 ,  2H092MA42 ,  2H092NA22 ,  2H092RA05 ,  5C094AA05 ,  5C094AA43 ,  5C094AA60 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094HA10 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AB07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB00 ,  5F048BB02 ,  5F048BB04 ,  5F048BB08 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BF11 ,  5F110AA07 ,  5F110AA13 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110EE03 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5G435AA00 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435AA18 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435BB17 ,  5G435EE34 ,  5G435FF13 ,  5G435KK09 ,  5G435LL15
引用特許：
審査官引用 (1件)

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