結晶中の不純物濃度検出方法および単結晶の製造方法並びに単結晶引上げ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：村上友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-118835
公開番号（公開出願番号）：特開平10-291892
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】結晶中の不純物量を把握できるようにする。【解決手段】炉11に温度センサ42を設け、ルツボ12に収納した融液24の上部の温度を検出し、融液20の自由表面44から蒸発する酸素の蒸発状態を検出する。これにより、ルツボ12への酸素の溶け込み量との関係から融液24中の酸素濃度がわかり、融液24から引上げられるシリコン単結晶40中に取り込まれる酸素量を知ることができる。

請求項（抜粋）：

炉の内部に配置した融液からの不純物の蒸発状態を検出し、前記融液から形成した結晶中の前記不純物濃度を求めることを特徴とする結晶中の不純物濃度検出方法。

IPC (3件)：

C30B 15/20 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/20 , C30B 29/06 502 H , H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平3-159986
雰囲気制御により酸素濃度を調整するSi単結晶の引上げ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-335358 出願人：新技術事業団, 泉妻宏治, 寺嶋一高
特開昭62-162690

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