特許
J-GLOBAL ID：200903069999279541
窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153814
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004039
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 共振面が平滑で、レーザ光のファーフィールドパターン形状の良好な、更にしきい値の低下された窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 エッチングして共振面を形成した後、更にエッチングによりリッジ(p側コンタクト層20及びp側クラッド層19よりなる)を形成する。
請求項（抜粋）：
光導波機構がリッジ構造である窒化物半導体レーザ素子において、共振面がエッチングにより形成されてなり、該共振面を形成後に、リッジ構造がエッチングにより形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
引用特許：
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