特許

J-GLOBAL ID：200903070030460220

半導体熱処理用の電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータ

発明者： 外谷 栄一 ,  市島 雅彦 ,  大橋 忠 ,  島田 真幸 ,  三谷 慎一 ,  本多 恭章
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  東芝機械株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-171590
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007955
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 空気を含む雰囲気下でも消耗が少なく、固定部分がスパーク熱が発生しない半導体熱処理用電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータを提供する。【構成】 反応室の内部でウエハを支持部材で支持し、上記支持部材に支持されたウエハの真下にヒータを設け、ウエハの表面に気相成長させる気相成長装置に使用する半導体熱処理用の電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータにおいて、ヒータが熱膨張係数2.5〜3.5×10-6/°Cのガラス状カーボンで形成された帯状のヒータであることを特徴とする半導体熱処理用電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータ。

請求項（抜粋）：

反応室の内部でウエハを支持部材で支持し、上記支持部材に支持されたウエハの下方にヒータを設け、ウエハの表面に気相成長させる気相成長装置に使用する半導体熱処理用の電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータにおいて、ヒータが熱膨張係数2.5〜3.5×10-6/°C(20°C〜450°C)のガラス状カーボンで形成された帯状のヒータであることを特徴とする半導体熱処理用電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータ。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H05B 3/14

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H05B 3/14 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• カーボンヒーター
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-321300   出願人：信越化学工業株式会社
• 特開昭63-045188
  
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-096870   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭63-166195