特許
J-GLOBAL ID：200903070037297066
光電変換素子の構成方法
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131991
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008400
出願日： 1989年05月10日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】本発明は、短波長、長波長感度の優れた光電変換素子、出力電圧の改善された光電変換素子を低温で製造可能にした光電変換素子の構成方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明の光電変換素子の構成方法は、第一の導電形を有する結晶半導体10の、第一の表面にキャリア収集接合を設け、かつ結晶半導体10の第二の表面には、アモルファスシリコン系薄膜30と導電膜が順次積層された構造を少なくとも有している。本発明は、この第二の表面に定常的なキャリア蓄積層13をアモルファスシリコン系薄膜30により形成したことを特徴としている。蓄積層の存在に伴って、アモルファスシリコン系薄膜30との積層面から少数キャリアを追い返す電界が結晶半導体表面に存在していることになり、これを用いて光電変換素子等のキャリア閉じ込めによる出力電圧の向上及びキャリア収集効率の向上を実現することができる。
請求項（抜粋）：
第一の表面と該表面と対向する第二の表面を有する第一の導電形を有する結晶半導体の、該第一の表面にキャリア収集接合を設け、該第二の表面に、アモルファスシリコン系薄膜と導電膜が順次積層された構造を少なくとも有する光電変換素子において、前記結晶半導体の第二の表面に定常的なキャリア蓄積層を前記アモルファスシリコン系薄膜により形成したことを特徴とする光電変換素子の構成方法。
引用特許：
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