二次元画像検出器の製造方法および二次元画像検出器

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：原謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207383
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148475
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】二次元画像検出器の製造工程において、アクティブ素子アレイや半導体層の性能が劣化することを避ける。【解決手段】ガラス基板上にTFTアレイを形成する(工程P1)。TFTアレイを形成した領域を覆う表面保護層をガラス基板に形成する(工程P2)。表面保護層を形成した状態でガラス基板を分断してアクティブマトリクス基板を形成する(工程P3)。分断したアクティブマトリクス基板のエッジの面取りを行う(工程P4)。アクティブマトリクス基板から表面保護層を除去する(工程P5)。表面保護層を除去した領域におけるTFTアレイ上にX線導電層を形成する(工程P6)。以上の工程により、ガラス基板の分断や面取りの際に生じる汚染物が、TFTアレイやX線導電層を汚染することを防止する。

請求項（抜粋）：

入射する電磁波に応じて電荷を生じる半導体層と、該半導体層の電荷を読み出すためのアクティブ素子アレイを有する基板とを備える二次元画像検出器の製造方法において、前記基板上に前記アクティブ素子アレイを形成する工程と、前記アクティブ素子アレイを形成した領域を覆う保護部材を前記基板に形成する工程と、前記保護部材を形成した状態で前記基板を分断する工程と、分断した前記基板から前記保護部材を除去する工程と、前記保護部材を除去した領域における前記アクティブ素子アレイ上に前記半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする二次元画像検出器の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , H01L 27/14 , H01L 31/09 , H04N 5/32

FI (4件)：

H04N 5/32 , H01L 27/14 C , H01L 27/14 K , H01L 31/00 A

Fターム (34件)：

4M118AA08 , 4M118AA10 , 4M118BA05 , 4M118CA14 , 4M118CA32 , 4M118CB05 , 4M118CB06 , 4M118EA01 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118GA10 , 4M118HA20 , 4M118HA22 , 4M118HA24 , 4M118HA26 , 4M118HA29 , 5C024AX01 , 5C024AX06 , 5C024AX11 , 5C024CY47 , 5C024CY48 , 5C024HX01 , 5F088AA11 , 5F088AB01 , 5F088AB05 , 5F088BA18 , 5F088BB03 , 5F088CA05 , 5F088CB17 , 5F088HA11 , 5F088LA01 , 5F088LA03 , 5F088LA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

平面検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-015789 出願人：株式会社東芝
X線画像センサ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-511785 出願人：フィリップスエレクトロニクスエヌベー

審査官引用 (2件)

平面検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-015789 出願人：株式会社東芝
X線画像センサ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-511785 出願人：フィリップスエレクトロニクスエヌベー

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