特許

J-GLOBAL ID：200903070098612223

半導体装置およびその製造方法

発明者： 金 載 甲
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 斎藤 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-178944
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070281
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は配線の密度を減らすことにより、高集積化を達成することのでき、且つ生産性を向上させることのできるSOI構造の半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 ウェーハ上に絶縁膜及び半導体層が順次積層されたSOI構造の基板を備える、本発明による半導体装置は、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲートと、前記ゲート両側の半導体層内にそれぞれ形成された第1及び第2不純物拡散領域と、前記基板の全面に形成され前記第1不純物拡散領域の所定部分を露出させる第1コンタクトホールを備えた層間絶縁膜と、前記第2不純物拡散領域及び前記ウェーハの所定部分を同時に露出させる第2コンタクトホールと、前記第1コンタクトホールを通じて前記第1不純物拡散領域と電気的にコンタクトされた第1配線層と、前記第2コンタクトホールを通じて前記第2不純物拡散領域及び前記ウェーハの所定部分と同時に電気的にコンタクトされた第2配線層とを含む。

請求項（抜粋）：

ウェーハ上に絶縁膜及び半導体層が順次積層された構造の基板を備える半導体装置において、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲートと、前記ゲート両側の半導体層内にそれぞれ形成された第1及び第2不純物拡散領域と、前記基板の全面に形成され、前記第1不純物拡散領域の所定部分を露出させる第1コンタクトホールと、前記第2不純物拡散領域及び前記ウェーハの所定部分を同時に露出させる第2コンタクトホールとが備えられた層間絶縁膜と、前記第1コンタクトホールを通じて前記第1不純物拡散領域と電気的にコンタクトされた第1配線層と、前記第2コンタクトホールを通じて前記第2不純物拡散領域及び前記ウェーハの所定部分とを同時に電気的にコンタクトする第2配線層とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 619 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-181998   出願人：大見忠弘
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-154886   出願人：日本電気株式会社