光電変換素子およびそれを用いた固体撮像装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344776
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174251
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】素子寸法の縮小により受光部と転送部の間隔が狭まることによるスミアの増大を抑制した固体撮像装置を提供する。【解決手段】光入射時に信号電荷を蓄積する第1導電型領域6とその表面部の第2導電型領域5からなるフォトダイオードが形成された固体撮像装置において、フォトダイオード表面の第2導電型領域5端の一部を第1導電型領域6により第2導電型の素子分離領域10から分離することによりスミアを低減することができる。

請求項（抜粋）：

第2導電型ウェル上部に、光入射時に信号電荷を蓄積する第1導電型領域とその表面部に設けられた第2導電型領域からなるフォトダイオードが形成されてなる光電変換素子において、前記第2導電型領域は電位をグラウンドする一部分を除き第1導電型領域によって第2導電型素子分離領域から分離されていることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 B , H01L 31/10 A

Fターム (22件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA12 , 4M118BA13 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118DA03 , 4M118EA07 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA33 , 4M118GB03 , 4M118GB08 , 5F049MA02 , 5F049MB02 , 5F049MB12 , 5F049NA04 , 5F049PA10 , 5F049RA03 , 5F049RA08 , 5F049SZ10 , 5F049UA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

CCD固体撮像装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-267322 出願人：松下電子工業株式会社

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