特許

J-GLOBAL ID：200903070125664257

化合物薄膜形成方法及び光学薄膜及び光学素子

発明者： 秋山 貴之 ,  萩原 まゆみ
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282261
公開番号（公開出願番号）：特開2001-107232
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：

【要約】【課題】 従来の反応性スパッタによる薄膜形成方法では、形成される薄膜、特に光学多層薄膜の光学特性の測定値が設計値と異なるという問題があった。この問題を解決し、設計値通りの光学特性の薄膜を提供すること。【解決手段】反応性スパッタリングにより化合物薄膜を形成する際に、成膜中に、スパッタガスと少なくとも化合物薄膜の構成金属元素に対して化学的に活性な反応性ガスとを真空槽内に流入させて全圧を所定値に制御すると共に、スパッタガスと反応性ガスとの量比を所定値に制御することにより、形成された薄膜の屈折率が均質になり、設計値通りの光学特性が得られるようになった。

請求項（抜粋）：

真空槽内で基板上にスパッタリングにより化合物薄膜を形成する方法であり、成膜中に、スパッタガスと少なくとも前記化合物薄膜の構成金属元素に対して化学的に活性な反応性ガスとを真空槽内に流入させる段階と、前記真空槽内に於ける前記スパッタガスの分圧と前記反応性ガスの分圧との分圧比を所定値に制御する段階とを具えることを特徴とした化合物薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  G02B 1/10

FI (4件)：

C23C 14/34 M ,  C23C 14/34 U ,  C23C 14/08 G ,  G02B 1/10 Z

Fターム (17件)：

2K009AA03 ,  2K009BB02 ,  2K009CC01 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD09 ,  4K029AA09 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029CA06 ,  4K029EA03 ,  4K029EA04 ,  4K029EA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-184275
  
• 特開昭63-153268
  
• 不活性化された酸化ケイ素系薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-068610   出願人：株式会社ニコン