特許
J-GLOBAL ID:200903070129054780

フォトマスクの修正方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小倉 亘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-331631
公開番号(公開出願番号):特開2000-155409
出願日: 1998年11月20日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【目的】 基板にダメージを与えることなく、1μm以下の精度でフォトマスクを修正し、黒欠陥を除去する。【構成】 基板1上に形成されたクロム薄膜2,酸化クロム膜3からなるフォトマスクをレーザ加工で修正する際、フォトマスクをパルス幅3〜16psのレーザ光で照射する。レーザ光としては、600〜1100nmの波長をもつものが好ましい。【作用】 パルス幅3〜16psのレーザ光で照射するとき、基板1がダメージを受けることなく、クロム薄膜2及び酸化クロム膜3が選択的に加工され、シャープなエッジをもつ加工部が形成される。
請求項(抜粋):
基板上に設けられた金属薄膜からなるフォトマスクをレーザ光で修正する際、パルス幅3〜16psのレーザ光を照射して金属薄膜を選択的に加工し、フォトマスクの黒欠陥を除去することを特徴とするフォトマスクの修正方法。
IPC (3件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01S 3/00
FI (4件):
G03F 1/08 V ,  H01S 3/00 B ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 W
Fターム (9件):
2H095BD32 ,  2H095BD34 ,  5F072AB20 ,  5F072JJ20 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR01 ,  5F072RR03 ,  5F072SS08 ,  5F072YY08
引用特許:
審査官引用 (5件)
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