特許

J-GLOBAL ID：200903070134749354

有機系膜の除去方法

発明者： 門村 新吾 ,  ジェリー ウォン ,  戸島 正人
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  ガンマ プレシジョン テクノロジー インク
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083558
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021864
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 有機系低誘電体率絶縁膜を所望の形状に加工する際に用いられ、有機系低誘電体率絶縁膜の上方に形成された有機系膜を容易に除去する。【解決手段】 有機系低誘電率膜を有する積層体上に形成された有機系膜を除去するに際して、フッ素系ガスを主体とするガス中でラジカルを発生させ、このラジカルにより有機系膜を除去する。

請求項（抜粋）：

少なくとも、有機系低誘電率膜を有する積層体上に形成された有機系膜を除去するに際して、フッ素系ガスを主体とするガス中でラジカルを発生させ、このラジカルにより上記有機系膜を除去することを特徴とする有機系膜の除去方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055687   出願人：科学技術庁金属材料技術研究所長
• アッシング方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-182553   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-084117
  
• 特開昭63-084117