特許
J-GLOBAL ID：200903070143278267

トランジスタ回路及びそれを用いた高周波増幅器

発明者：
榎本 真悟

榎本 真悟 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-067179
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243872
出願日： 2006年03月13日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】高周波増幅器のパワー制御に伴う利得の不連続性を補償することを目的とする。【解決手段】高周波電力入力端子1より高周波信号が入力され、DCカット容量10、高周波増幅用トランジスタTRB1、DCカット容量10を介して高周波電力出力端子2より出力される。高周波増幅用トランジスタTRB1のベースは第1の電源3よりλ/4線路或いはLC共振回路より構成されるバイアス分離回路9、抵抗R1を介してバイアス供給され、高周波増幅用トランジスタTRB1のコレクタは第2の電源4よりバイアス分離回路9、抵抗R2を介してバイアス供給されている。高周波増幅用トランジスタTRB1のエミッタはスイッチトランジスタTRB2のコレクタに接続され、スイッチトランジスタTRB2のエミッタは接地されている。スイッチトランジスタTRB2のベースは第2の電源4よりバイアス分離回路9、抵抗R3を介してバイアス供給されている。R1,R2,R3の各抵抗は省略することも可能である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
高周波増幅用の第1のトランジスタにおいて、高周波入力端子となる第1のトランジスタのベースが第1の電源によりバイアスされており、高周波出力端子となる第1のトランジスタのコレクタが、第2の電源によりバイアスされており、第1のトランジスタのエミッタがスイッチ素子となる第2のトランジスタのコレクタと接続され、第2のトランジスタのエミッタが接地され、第2のトランジスタのベースが第3の電源によりバイアスされている構造において、第2、第3の電源を同時にオンオフ制御することを特徴とするトランジスタ回路。
IPC (2件)：
H03G 3/10 ,  H03F 3/21
FI (2件)：
H03G3/10 A ,  H03F3/21
Fターム (31件)：
5J100AA03 ,  5J100BA01 ,  5J100BB01 ,  5J100BB16 ,  5J100BC03 ,  5J100CA01 ,  5J100CA05 ,  5J100CA12 ,  5J100EA02 ,  5J100FA01 ,  5J500AA01 ,  5J500AA04 ,  5J500AA41 ,  5J500AC36 ,  5J500AF15 ,  5J500AF18 ,  5J500AH06 ,  5J500AH09 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AH39 ,  5J500AK12 ,  5J500AK23 ,  5J500AK29 ,  5J500AK68 ,  5J500AS14 ,  5J500AT02 ,  5J500AT03 ,  5J500AT05 ,  5J500CK03
引用特許：
出願人引用 (3件)

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