特許

J-GLOBAL ID：200903070148255907

半導体装置の製造方法

発明者： 吉川 潤 ,  中村 秀和
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-297126
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072120
出願日： 2003年08月21日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】メサ型半導体装置の製造方法において窓形成のパターニングは従来フォトリソグラフィ法が主流であるが、品種毎、工程毎のフォトマスクが必要で、少量多品種やチップサイズの急な変更の対応にはコストや時間が掛かり非常に生産効率が悪い。【解決手段】ノズル方式による拡散剤塗布の選択拡散形成、レジスト材料のパターン形成、パシベーション材料の選択的注入形成を行うことにより生産工数の改善、チップサイズ変更を容易にし、結果、生産性向上となる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板に不純物を含有した半導体拡散剤を塗布し高温の熱処理により拡散層を形成する半導体装置の製造方法において、前記拡散剤をノズル方式を用いて前記基板上の拡散層を形成する部分にのみ塗布する工程と、前記基板上に塗布された前記拡散剤を酸化シリコン系皮膜形成用塗布液によりオーバーコートする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/225 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73

FI (2件)：

H01L21/225 R ,  H01L29/72 Z

Fターム (9件)：

5F003BA12 ,  5F003BA27 ,  5F003BA29 ,  5F003BA92 ,  5F003BB02 ,  5F003BC02 ,  5F003BP05 ,  5F003BP11 ,  5F003BP41

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭60-186071号公報
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-051913
  
• 太陽電池の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-023431   出願人：シャープ株式会社