特許
J-GLOBAL ID:200903070148447806
ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-324279
公開番号(公開出願番号):特開2009-145714
出願日: 2007年12月17日
公開日(公表日): 2009年07月02日
要約:
【課題】高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有する化学増幅機能と非化学増幅機能の両方を有するポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(a)、及び(b-1)又は(b-2)の繰り返し単位を有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(a)、及び(b-1)又は(b-2)の繰り返し単位を有する高分子化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (5件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
, C08F 220/36
, C08F 212/14
FI (5件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
, C08F220/36
, C08F212/14
Fターム (30件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BF15
, 2H025BG00
, 2H025CC04
, 2H025CC20
, 2H025DA34
, 2H025FA17
, 2H025FA41
, 4J100AB07P
, 4J100AB07Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100BA03Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BA41P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC43P
, 4J100BC49P
, 4J100CA03
, 4J100CA04
, 4J100JA38
引用特許: