特許
J-GLOBAL ID：200903070170196280

半導体装置およびその作製方法

発明者：
荒尾 達也

荒尾 達也 について

, 
棚田 好文

棚田 好文 について

, 
柴田 寛

柴田 寛 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-142027
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037271
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 従来より工程数を削減し、開口率が高く、高精細な表示を行うことができ、さらに、信頼性の高いアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現することを課題とする。【解決手段】 本発明は、ゲート電極、ソース配線およびドレイン配線を同一工程で形成し、これらの配線を覆って第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜上に上部遮光膜を形成し、該上部遮光膜上に第2の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜を部分的にエッチングして前記ドレイン配線に達するコンタクトホールを形成し、前記第2の絶縁膜上に前記ドレイン配線に接続する画素電極を形成することを特徴としている。また、前記上部遮光膜、前記第2の絶縁膜および前記画素電極により保持容量を形成していることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に第1の遮光膜を形成する工程と、前記第1の遮光膜上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜を介して前記第1の遮光膜上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜に選択的に不純物元素を導入して、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、前記半導体膜上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜を部分的にエッチングして前記第1の遮光膜、前記ソース領域およびドレイン領域の一部を露呈させる工程と、前記第1の絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜をエッチングして、ゲート電極、ソース配線およびドレイン配線を形成する工程と、前記第1の絶縁膜、前記ゲート電極、前記ソース配線および前記ドレイン配線を覆って第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上に前記第1の遮光膜と重なる第2の遮光膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜および前記第2の遮光膜を覆って第3の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜および前記第3の絶縁膜を部分的にエッチングして、前記ドレイン配線の一部を露呈させる工程と、前記第3の絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1345 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (8件)：
G02F 1/1345 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 27/08 321 N
Fターム (153件)：
2H092GA59 ,  2H092JA24 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB33 ,  2H092JB54 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB64 ,  2H092JB68 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA22 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA24 ,  2H092MA29 ,  2H092MA37 ,  2H092NA07 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  2H092PA09 ,  2H092RA05 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033MM08 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX03 ,  5F033XX33 ,  5F048AA01 ,  5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F110AA16 ,  5F110AA21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN48 ,  5F110NN49 ,  5F110NN58 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (2件)

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