特許
J-GLOBAL ID：200903070180797908
プローブ構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041745
公開番号（公開出願番号）：特開平8-297142
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【解決手段】 プローブ構造P1の絶縁性基材1の一方表面1aには、導体パターン2が形成され、絶縁性基材1の他方表面1bには、平坦な接触部を持つ電極3が形成され、これらは導通路4を介して接続される。導体パターン2は、半導体素子5のボール6に接触すると、試験機器によって半導体素子5の導通検査が行われるようにパターン形成される。ボール6の少なくとも表面は低融点金属から構成され、電極3の少なくとも表面が、ロジウム、パラジウム、イリジウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の貴金属で構成される。【効果】 ボール6との接触信頼性が向上し、半導体素子5への押圧力の調整が簡易化され、接触信頼性が向上する。接触における耐久性が向上し、腐食の防止、かつ低融点金属との合金形成を行わないので、プローブとしての信頼性が向上する。従って、高温条件下でのバーンイン試験において好適に使用することができる。
請求項（抜粋）：
外部試験機器と接続する回路配線と、該回路配線と導通し、被検査体の突起電極に接触する平坦な接触部とを有することを特徴とするプローブ構造。
IPC (4件)：
G01R 1/073
, G01R 1/06
, G01R 31/26
, H01L 21/66
G01R 1/073 F
, G01R 1/06 F
, G01R 31/26 J
, H01L 21/66 B
, H01L 21/66 H
