特許
J-GLOBAL ID：200903070184067548
第2高調波発生デバイス及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 登 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-091962
公開番号（公開出願番号）：特開平6-281983
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 可視光領域での光損失や光損傷が少なく、入射可視光から長時間安定して半波長の第2高調波を発生できる第2高調波発生デバイスを提供すること。【構成】 タンタル酸リチウム単結晶基板上に格子整合状態で形成されたニオブ酸リチウム単結晶薄膜光導波路にホウ素が含有されてなる第2高調波発生デバイスであって、かかるニオブ酸リチウム単結晶薄膜光導波路の常光屈折率Nof1 、異常屈折率Nef2、タンタル酸リチウム単結晶基板の異常屈折率Nes2の関係が、またニオブ酸リチウム単結晶薄膜の光導波路がその結晶軸方向に互いに干渉しない間隔で周期的に分極反転されている。
請求項（抜粋）：
ニオブ酸リチウムとは基本組成を異にするヘテロ材料からなるヘテロ基板上にニオブ酸リチウム単結晶薄膜光導波路を格子整合状態で形成し、該ニオブ酸リチウム単結晶の薄膜光導波路にはホウ素が含有されてなることを特徴とする第2高調波発生デバイス。
IPC (3件)：
G02F 1/37
, C30B 29/30
, G02B 6/12
