特許
J-GLOBAL ID：200903070190348389
スケーラブルな磁気抵抗ランダム・アクセス記憶素子に書き込むための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-537077
公開番号（公開出願番号）：特表2005-505889
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
磁束により磁気抵抗記憶装置の有効磁気モーメント・ベクトルを約180度回転するために、種々の時点でワード線およびディジット線に電流波形を供給することができるように、ワード線とディジット線の間にサンドイッチ状に挟まれている磁気抵抗記憶装置を提供する工程を含むスケーラブルな磁気抵抗メモリ・セルをスイッチングするための方法。磁気抵抗記憶装置は、反強磁性結合しているN個の強磁性層を含む。Nはデバイスの磁気的スイッチング容量を変更するために調整することができる。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗記憶装置をスイッチングするための方法であって、
磁気抵抗記憶素子を第1の導体および第2の導体に隣接して設置する工程であって、前記磁気抵抗記憶素子が、トンネル障壁により分離されている第1の磁気領域と第2の磁気領域を含み、前記第1および第2の磁気領域のうちの少なくとも一方が反強磁性結合しているN個の強磁性体層を含み、ここで、Nが少なくとも2に等しい整数であり、各層が書込モードを提供すべく調整された磁気モーメントを有し、また、前記第1および第2の各磁気領域が、t0の時点で好適な方向を向いているトンネル障壁に隣接する磁気モーメント・ベクトルを有する工程と、
t1の時点で前記第1の導体を通る第1の電流の流れをオンにする工程と、
t2の時点で前記第2の導体を通る第2の電流の流れをオンにする工程と、
t3の時点で前記第1の導体を通る前記第1の電流の流れをオフにする工程と、
t4の時点で前記第2の導体を通る前記第2の電流の流れをオフにし、その結果、前記トンネル障壁に隣接する前記磁気モーメント・ベクトルのうちの一方が、t0の時点の前記最初の好適な方向とは異なる方向を向く工程と、からなる方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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