磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-182152
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237472
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】磁気抵抗効果素子において、磁気抵抗特性の改善を可能とする素子を提供する。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果素子は、第1の強磁性膜と、第2の強磁性膜と、第1の強磁性膜と第2の強磁性膜との間に設けられた第1の非磁性膜とを備え、外部磁場に対して、第1の強磁性膜は第2の強磁性膜よりも容易に磁化回転し、第1の強磁性膜の磁性的な実効の厚みが2nm以下である。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性膜と、第2の強磁性膜と、該第1の強磁性膜と該第2の強磁性膜との間に設けられた第1の非磁性膜と、を備え、外部磁場に対して、該第1の強磁性膜は該第2の強磁性膜よりも容易に磁化回転し、該第1の強磁性膜の磁性的な実効の厚みが2nm以下である、磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/16

FI (5件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/16

Fターム (11件)：

5D034BA03 , 5D034BA04 , 5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034CA08 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049BA06 , 5E049BA11 , 5E049CB02 , 5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-036766 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、メモリー素子、及び増幅素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-108905 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果素子及び磁気情報再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-060612 出願人：株式会社東芝

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