特許
J-GLOBAL ID：200903070209529207
高密度転位を一次元に直線上に配列させた単結晶材料、該単結晶材料を用いた機能デバイスおよびそれらの作製方法。
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-117629
公開番号（公開出願番号）：特開2003-313090
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：
【要約】【課題】 単結晶材料内部の転位を利用した量子細線などのナノテクノロジー技術の開発。【構成】 セラミックスまたは金属の単結晶材料を単一すべりが活動する方位から高温で圧縮することによって塑性変形させ、さらに熱処理することにより該単結晶材料の内部に高密度転位を一次元に直線状に配列して導入する。これをイオンまたは電子の高速パイプ拡散デバイスとすることができる。また、さらに該単結晶材料の表面から拡散処理により転位に沿って金属元素を拡散させると、特異な電気伝導性を有した単結晶デバイスや量子細線デバイスを形成できる。さらに、焼鈍またはケミカルエッチングすることにより高密度転位に沿ってナノホールを形成すると分子篩膜、二酸化炭素分離膜などの薄膜デバイスを製作できる。
請求項（抜粋）：
106から1014/cm2の高密度の転位を一次元に直線上に内部に配列させたセラミックスまたは金属の単結晶材料。
IPC (4件)：
C30B 29/16
, C30B 29/20
, C30B 33/00
, H01L 29/06 601
C30B 29/16
, C30B 29/20
, C30B 33/00
, H01L 29/06 601 L
4G077AA02
, 4G077BB01
, 4G077BB10
, 4G077FA05
, 4G077FJ02
, 4G077HA20
