特許
J-GLOBAL ID：200903070234083809
配向性多結晶基材と酸化物超電導導体およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-208104
公開番号（公開出願番号）：特開平11-053967
出願日： 1997年08月01日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を基材上に従来よりも速い成膜速度で堆積させることができることを目的とするとともに、強度や硬度の高い基材を用いてその上に結晶配向性の高い多結晶薄膜を形成し、配向性に優れた多結晶薄膜を有すると同時に強度の高い基材を備えた酸化物超電導導体を製造する技術の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、基材1と配向性多結晶中間層2を具備してなり、更に配向性機能層3が積層される配向性多結晶基材3であって、立方晶系の高融点の高硬度金属からなり、圧延集合組織とされたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基材と配向性多結晶中間層とを具備してなり、更に配向性機能層が積層される配向性多結晶基材であって、前記基材が立方晶系の高融点の高硬度金属からなり、圧延集合組織とされたことを特徴とする配向性多結晶基材。
IPC (2件)：
H01B 13/00 565
, H01B 12/06 ZAA
H01B 13/00 565 D
, H01B 12/06 ZAA
