特許

J-GLOBAL ID：200903070263051193

光電素子、多数の光電素子を有する装置および光電素子を製造する方法

発明者： ラルフ ヴィルト ,  ヘルベルト ブルナー ,  シュテファン イレク ,  ディーター アイスラー
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-553430
公開番号（公開出願番号）：特表2007-523483
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

本発明は、光電素子、多数の光電素子を有する装置および光電素子の製造方法に関する。アクティブゾーン(400)およびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域(2)を含んでいる光電素子(1)を提示する。この半導体機能領域は、アクティブゾーンを通る少なくとも1つの孔部(9、27、29)を有しており、孔部の領域内に接続導体材料(8)が配置されている。この接続導体材料は、アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁(10)されている。さらにこのような光電素子の製造方法および多数の光電素子を有する装置を提示する。この素子および装置は完全にウェハ結合において製造される。

請求項（抜粋）：

光電素子(1)であって、 当該光電素子は、アクティブゾーン(400)およびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域(2)を含んでいる形式のものにおいて、 当該半導体機能領域は、前記アクティブゾーンを通る少なくとも1つの孔部(9、27、29)を有しており、当該孔部の領域内に接続導体材料(8)が配置されており、 当該接続導体材料は、前記アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁されている、 ことを特徴とする光電素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L33/00 E ,  H01L27/14 K ,  H01L31/10 H

Fターム (33件)：

4M118AA10 ,  4M118BA02 ,  4M118BA04 ,  4M118CA03 ,  4M118CB01 ,  4M118GA10 ,  4M118HA01 ,  4M118HA21 ,  4M118HA25 ,  4M118HA29 ,  4M118HA33 ,  5F041AA42 ,  5F041CA34 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB25 ,  5F041DA42 ,  5F041DA57 ,  5F041EE17 ,  5F049MB02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA18 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049NB07 ,  5F049RA04 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049SZ16 ,  5F049TA09 ,  5F049TA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-177080
  
• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160696   出願人：信越半導体株式会社
• 光電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-251474   出願人：サンユレック株式会社