特許

J-GLOBAL ID：200903070263671361

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 柳楽 崇 ,  綿谷 力
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-230856
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053630
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】メサから埋込層へ電流が流れる無効電流経路が形成されるのを防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を得る。【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に、活性層を持つ半導体積層構造を形成する工程と、半導体積層構造をエッチングしてメサを形成する工程と、メサの側面の酸化層が強固なものに変化する臨界温度よりも低い温度において、エッチング効果のあるガスによりメサの側面を清浄化させる第1清浄化工程と、第1清浄化工程の後に、臨界温度よりも高い温度において、エッチング効果のあるガスによりメサの側面を清浄化させる第2清浄化工程と、メサの側面を清浄化させた後に、メサの側面を覆うように埋め込み層を形成する工程とを有する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板上に、活性層を持つ半導体積層構造を形成する工程と、 前記半導体積層構造をエッチングしてメサを形成する工程と、 前記メサの側面の酸化層が強固なものに変化する臨界温度よりも低い温度において、エッチング効果のあるガスにより前記メサの側面を清浄化させる第1清浄化工程と、 前記第1清浄化工程の後に、前記臨界温度よりも高い温度において、エッチング効果のあるガスにより前記メサの側面を清浄化させる第2清浄化工程と、 前記メサの側面を清浄化させた後に、前記メサの側面を覆うように埋め込み層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01S 5/227

FI (1件)：

H01S5/227

Fターム (8件)：

5F173AA26 ,  5F173AA48 ,  5F173AA53 ,  5F173AH30 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP36

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法,半導体結晶表面のクリーニング方法,及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-055531   出願人：三菱電機株式会社