半導体装置の製造方法,半導体結晶表面のクリーニング方法,及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055531
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263355
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】再成長界面の不純物を低減できる半導体装置の製造方法,及び半導体結晶表面の不純物をより簡便かつ確実に除去できる半導体結晶表面のクリーニング方法を提供するとともに、上記半導体装置の製造方法、及び上記クリーニング方法を用いて形成された半導体装置を提供するを提供することを目的とする。【構成】 AlGaAs層2上にGaAsキャップ3層をあらかじめ形成したものを、チャンバ内に載置して450°C以下の温度に保持し、HClガス,水素ガス,AsH3 ガスからなる混合ガスを供給して表面の酸化膜を除去したあと、外気と触れない状態を保持した状態で、GaAsキャップ層3およびAlGaAs層2をAlGaAs層2が露出するようドライエッチングし、さらに、外気と触れない状態を保持した状態で、AlGaAs層2上にGaAs層4を再結晶成長した。

請求項（抜粋）：

下地半導体層上に、Alを構成元素として含む化合物半導体よりなる半導体層,及びAlを構成元素として含まない化合物半導体からなる保護層を連続して結晶成長により形成する工程と、上記Alを含まない保護層及び上記Alを含む半導体層を450°C以下の温度に保持し、上記保護層,及び上記Alを含む半導体層をハロゲン系ガスを含むガスを供給した雰囲気下に配置することにより、上記保護層の結晶表面に自然形成された酸化膜を、該酸化膜と上記ハロゲン系ガスを構成する元素との吸着及び脱離の連続的な反応により除去する工程と、上記雰囲気を、上記保護層が外気に触れないよう上記保護層,及び上記Alを含む半導体層、あるいは上記保護層,上記Alを含む半導体層,及び上記下地半導体層をドライエッチングする雰囲気に変え、上記保護層,及び上記Alを含む半導体層、あるいは上記保護層,上記Alを含む半導体層,及び上記下地半導体層を、上記保護層の上記酸化膜が除去された面からその深さ方向に上記Alを含む半導体層,あるいは上記下地半導体層に達するようにドライエッチングする工程と、上記ドライエッチング用雰囲気を、上記ドライエッチングにより露出した半導体層の結晶表面が外気に触れないよう結晶成長用雰囲気に変えて、上記ドライエッチングにより露出した半導体層の結晶表面に、他の半導体層を結晶成長させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 G , H01L 29/205 , H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-214017
特開平2-129923
特開昭63-182294

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