特許

J-GLOBAL ID：200903070278941519

ITOスパッタリングターゲット

発明者： 江島 光一郎 ,  大瀧 光信 ,  横川 敏雄 ,  浦野 広明 ,  天羽 隆一
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-148720
公開番号（公開出願番号）：特開平7-145478
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】 優れた耐黒化性を有すると共に、スパッタ時における異常放電やプラズマダメージを低減し、安定して低比抵抗のITO膜を形成することができるITOスパッタリングターゲットの提供。【構成】 酸化インジウム粉90重量%と、酸化錫粉10重量%とを混合した混合粉を出発原料とし、従来より一般的に用いられている製造方法により、相対密度が88%、および平均結晶粒径が7μmであり、粒径5μmのSnリッチ相が焼結体中に均一に分散存在しているITO焼結体からなる4inchφ×6mmのITOスパッタリングターゲットを製造し、ITO膜の成膜を行う。【効果】 基板温度 200°Cで得たITO膜は、その比抵抗が 2.6×10-4Ωcmであり、ターゲット寿命に対して70%使用時においてもターゲット表面黒化および異常放電は認められない。

請求項（抜粋）：

透明導電膜をスパッタリング成膜する際に用いられるITO焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、前記焼結体の相対密度が85%以上、および結晶粒径が15μm以下であり、かつこの焼結体中に存在するSnリッチ相が10μm以下の粒径で、焼結体中に均一に分布していることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ITO焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186904   出願人：住友金属鉱山株式会社, 住友石炭鉱業株式会社
• 特開平4-317455