特許
J-GLOBAL ID：200903070280335090
磁気センサーとその製造方法および磁気記録装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158216
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348311
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 製造が容易であって信頼性が高く、小型でかつ出力が安定した磁気センサーを提供する。【解決手段】 多層膜GMRの膜面と垂直方向に電流を流す構造の磁気センサーであって、下端子層表面のコンタクトホールの底面に相当する領域とGMR層下面との接触面を、酸化し難い金属材料、若しくは酸化しても酸化膜が電気伝導性を有する金属材料で形成する。その金属材料はAu、Os、Ir、Pt、Ru、Rh、およびPdの内の1種であるか、その合金であり、電気陰性度が高い。
請求項（抜粋）：
難酸化性の金属、若しくは酸化しても酸化膜が電気伝導性を有する金属の表面を有する下部電極層と、前記下部電極層の上に形成された巨大磁気抵抗(GMR)膜と、前記GMR膜上に積層された上部電極層と、を有するCPP型多層膜GMR構造の磁気センサー。
Fターム (4件)：
5D034BA03
, 5D034BA09
, 5D034BB01
, 5D034DA07
