磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平木祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094339
公開番号（公開出願番号）：特開平11-296815
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】磁気トンネリング現象を示す多層膜を用いて高性能の磁気抵抗効果素子を作製する。【解決手段】 Au層14を表面に形成した金属積層体からなる下部電極100上に磁気トンネリング現象を示す多層膜200を形成する。電極の表面はAu層で被われているため、電極を大気中に出しても電極は酸化されない。したがって、電極100と多層膜200の間には絶縁層は存在しない。さらに、多層膜200をフォトリソグラフィ工程により所定の形状に加工する時に、同時に電極上の多層膜のない部分のAu層も除去する。この上に絶縁体18を形成すると、Au層のない部分に絶縁体が形成されることになるので、電極100と絶縁体18の剥離は生じない。

請求項（抜粋）：

電極上に磁気抵抗効果を示す多層膜が形成されている磁気抵抗効果素子において、前記電極はAu層と少なくとも1層の他の金属層からなる積層体であり、前記Au層は前記電極と前記多層膜とが接触する部分に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-103013
特開平4-103014
特開平4-003306

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