特許
J-GLOBAL ID：200903070281491052

粒子の配列方法、膜および粒子配列の保持方法

発明者：
田中 克志

田中 克志 について

, 
市坪 哲

市坪 哲 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 香川大学

国立大学法人 香川大学 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430775
公開番号（公開出願番号）：特開2005-186213
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】粒子径にかかわらず、所望の間隔で粒子を規則的に配列させることができる粒子の配列方法、この粒子の配列方法によって形成された膜、および熱処理を行っても粒子配列を維持することができる粒子配列の保持方法を提供する。【解決手段】基礎材料Bの表面上に粒子MPを配列させる配列方法であって、粒子MPを、基礎材料Bの表面上に配置し、配置された粒子MPを、拘束手段によって基礎材料Bの表面に、表面に沿ってのみ移動可能に拘束し、粒子MPに対して、基礎材料Bの表面の法線方向に対して、磁力線Hのなす角度が、0〜45度である磁場を印加する。各粒子MPを、隣接する粒子MP間の反発力に応じた距離だけ離れた状態で、基礎材料Bの表面に粒子を三角格子状に配列させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基礎材料の表面上に粒子を配列させる配列方法であって、 前記粒子を、前記基礎材料の表面上に配置し、 配置された前記粒子を、拘束手段によって前記基礎材料の表面に、該表面に沿ってのみ移動可能に拘束し、 前記粒子に対して、前記基礎材料の表面の法線方向に対して磁力線のなす角度が、0〜45度である磁場を印加する ことを特徴とする粒子の配列方法。
IPC (2件)：
B82B3/00 ,  G11B5/84
FI (2件)：
B82B3/00 ,  G11B5/84 Z
Fターム (5件)：
5D112BB02 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112DD02 ,  5D112GB01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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