特許

J-GLOBAL ID：200903070306804174

半導体圧力センサ

発明者： 齋藤 宏 ,  井上 智広
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012185
公開番号（公開出願番号）：特開平8-201198
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 半導体圧力センサのオフセット電圧の温度依存性を小さくする。【構成】 ダイヤフラム1bと、ダイヤフラム1b下部の空洞部1aとを備えた半導体圧力センサチップが、ボディ2の上部に形成されたチップ収納部2aの底面に形成された、圧力導入孔2bの内側開口2cを塞ぐように、その周縁部1cでボディ2に接着固定された半導体圧力センサであって、ボディ2と半導体圧力センサチップ1の接着部分と圧力導入孔2bの内側開口2c間の、チップ収納部2aの底面に、内側開口2c側が低くなるように傾斜2dを形成した。【効果】 半導体圧力センサチップ1の、空洞部1aの側壁1dまたはダイヤフラム1bへの接着剤3の付着を防止できる。

請求項（抜粋）：

ダイヤフラムを略中央に備え、そのダイヤフラムの下部に空洞部が形成された半導体圧力センサチップが、ボディの上部に形成された凹状のチップ収納部の底面に形成された、圧力導入孔の内側開口を塞ぐように、その周縁部で前記ボディに接着固定された半導体圧力センサであって、前記ボディと前記半導体圧力センサチップの接着部分と前記圧力導入孔の前記内側開口間の、前記チップ収納部の底面に、前記内側開口側が低くなるように傾斜が形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-069535
  
• 特開平3-071030
  
• 半導体圧力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-173447   出願人：株式会社フジクラ
• 特開昭54-051490