特許

J-GLOBAL ID：200903070308310020

半導体装置

発明者： 吉田 貴信
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  山田 卓二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-159457
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363295
出願日： 2003年06月04日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】放熱効率が高く、信頼性が高い半導体装置を提供することである。【解決手段】半導体装置10は、外部電極34と、所定の間隔をあけて並列に配置された複数の帯状電極37を有する半導体素子28と、半導体素子の帯状電極と外部電極34とを電気的に接続する導電体32とを有する。導電体32は、板状導電体本体38と、板状導電体本体の一方の主表面40から突出し且つ複数の帯状電極と同一の間隔をあけて並列に配置された複数の突条接触部44とを備えており、複数の突条接触部を複数の帯状電極に接触させることにより、半導体素子と外部電極とが導電体を介して電気的に接続されている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

外部電極と、所定の間隔をあけて並列に配置された複数の帯状電極を有する半導体素子と、上記半導体素子の帯状電極と外部電極とを電気的に接続する導電体とを備えた半導体装置において、 上記導電体が、板状導電体本体と、上記板状導電体本体の一方の主表面から突出し且つ上記複数の帯状電極と同一の間隔をあけて並列に配置された複数の突条接触部とを備えており、 上記複数の突条接触部を上記複数の帯状電極に接触させることにより、上記半導体素子と外部電極とが上記導電体を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/60 ,  H01L23/36

FI (2件)：

H01L21/60 321E ,  H01L23/36 D

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BB14 ,  5F036BB16 ,  5F036BB18 ,  5F036BB21 ,  5F036BD01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の実装構造及び実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-155745   出願人：株式会社デンソー
• 半導体素子用パッケージおよびその実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-276865   出願人：京セラ株式会社
• 特開昭58-037930
  
• 特開昭58-037930