特許
J-GLOBAL ID：200903032670660871
半導体素子用パッケージおよびその実装構造
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276865
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102475
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】放熱用のリッドを具備する半導体素子用パッケージを外部回路基板に実装した場合も強固でかつ長期にわたり安定した電気接続を維持させる。【解決手段】メタライズ配線層2が被着形成された絶縁基板1の表面に、接続用電極8を備えた半導体素子Aを載置し、メタライズ配線層2と接続用電極8とをロウ付けしてなり、半導体素子Aを覆うようにして絶縁基板1表面に取着され、その一部を半導体素子Aの上面と接着した高熱伝導性蓋体12と、絶縁基板1裏面に設けられ半導体素子Aと電気的に接続された接続端子9を具備する半導体素子用パッケージBを有機樹脂を含有する外部回路基板Cに実装してなる構造において、絶縁基板1の40〜150°Cにおける熱膨張係数が8乃至20ppm/°Cであり、高熱伝導性蓋体12を絶縁基板1の熱膨張係数よりも低く、外部回路基板Cの熱膨張係数よりも小さい材料によって形成する。
請求項（抜粋）：
メタライズ配線層が被着形成された絶縁基板の表面に接続用電極を備えた半導体素子を載置し、前記メタライズ配線層と前記半導体素子の接続用電極とをロウ付けしてなるとともに、前記半導体素子を覆うようにして前記絶縁基板表面に取着され且つその一部を前記半導体素子の上面と接着してなる高熱伝導性蓋体と、前記絶縁基板裏面に設けられ前記半導体素子と電気的に接続された接続端子とを具備する半導体素子用パッケージにおいて、前記絶縁基板の40〜150°Cにおける熱膨張係数が8乃至20ppm/°Cであり、且つ前記高熱伝導性蓋体が前記絶縁基板の熱膨張係数よりも低いことを特徴とする半導体素子用パッケージ。
IPC (5件)：
H01L 23/02
, H01L 21/60 311
, H01L 23/08
, H01L 23/12
, H01L 23/36
H01L 23/02 J
, H01L 21/60 311 S
, H01L 23/08 C
, H01L 23/12 L
, H01L 23/12 J
, H01L 23/36 D
5F036AA01
, 5F036BB06
, 5F036BB08
, 5F036BB14
, 5F036BB21
, 5F036BD03
, 5F036BD13
, 5F036BE09
, 5F044KK02
, 5F044LL01
, 5F044RR10
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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