特許
J-GLOBAL ID：200903070308657403
電界効果型トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-251943
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106528
出願日： 1993年10月07日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 一つのトランジスタで脳機能の基本である学習記憶と多入力並列処理が可能となり、従来コンピュータで不得意な判断・認識を効率的に行うことができる電界効果型トランジスタを提供することにある。【構成】 P型シリコン基板1上には、シリコン酸化膜2を介して所定の大きさのフローティングゲート電極3が配置されている。フローティングゲート電極3の上には強誘電体膜4が設けられている。強誘電体膜4の上には、多入力ゲート電極5が形成されている。この多入力ゲート電極5は、多入力化のため複数の入力ゲートとして分割されている。又、P型シリコン基板1には、N+ 型拡散層よりなるソース領域6とN+ 型拡散層よりなるドレイン領域7が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板に、ソース領域、ドレイン領域、ゲート誘電体膜及びゲート電極を有して、前記半導体基板を動作半導体層とする電界効果型トランジスタにおいて、前記ゲート電極上に強誘電体膜を設け、さらに前記強誘電体膜上に分割された複数のゲート電極を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 27/10 451
, G06F 15/18
