特許
J-GLOBAL ID：200903070309014158
半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039725
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232198
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 ガリウム砒素層を形成するための基板として、安価で、強度が大きく、しかも大口径化が可能なシリコン基板を用いるときに発生するガリウム砒素層とシリコン基板間の寄生容量を低減した半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 一方のシリコン基板上に下地層とガリウム砒素層を形成するとともに、他方のシリコン基板上に絶縁膜を形成し、前記一方のシリコン基板上のガリウム砒素層と前記他方のシリコン基板上の絶縁膜とを対峙させて前記一方のシリコン基板と前記他方のシリコン基板を接合した後に前記一方のシリコン基板と下地層を除去する。
請求項（抜粋）：
一方のシリコン基板上に下地層とガリウム砒素層を形成するとともに、他方のシリコン基板上に絶縁膜を形成し、前記一方のシリコン基板上のガリウム砒素層と前記他方のシリコン基板上の絶縁膜とを対峙させて前記一方のシリコン基板と前記他方のシリコン基板を接合した後に前記一方のシリコン基板と下地層を除去してなる半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 33/00
H01L 21/02 B
, H01L 33/00 A
, H01L 29/80 B
