特許
J-GLOBAL ID：200903070327055546
カルコパイライト構造半導体およびそれを用いた光起電力装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014091
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213978
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 低濃度の不純物ドーピングにより、結晶欠陥の少ない低抵抗でかつp型の伝導型を持つカルコパイライト構造半導体を提供すること。【解決手段】 化学式I-III-VI2 カルコパイライト構造半導体に炭素、珪素等のIV族元素、またはIII族元素のボロンをドープすることによって、I-III-IVX VI2-X またはI-III-IIIX VI2-X (式中、Iは元素周期表のIb族の元素を、IIIはIIIb族元素を、IVはIVb族元素を、VIはVIb族元素を表す。)の低抵抗のp型の伝導型を持つカルコパイライト構造半導体が得られる。
請求項（抜粋）：
化学式I-III-IVX VI2-X で表されることを特徴とするカルコパイライト構造半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, C23C 14/06 D
