特許
J-GLOBAL ID：200903070333247350
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-159556
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273093
出願日： 2003年06月04日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】2つのリファレンスセルの平均電流をリファレンス電流とする構成の不揮発性半導体記憶装置において、充分な読み出しマージンを安定して提供する。【解決手段】メモリセルアレイと、第1のリファレンスセルと第2のリファレンスセルを含むリファレンスセルと、第1のリファレンスセルと第2のリファレンスセルとから平均リファレンス電流を求め、その平均リファレンス電流とメモリセルアレイの各メモリセルの読み出し電流とを大小比較することで読み出しデータを判定するデータ判定制御部を有する不揮発性半導体記憶装置であって、第1のリファレンスセルに基づいてメモリセルアレイをプログラムベリファイすることで各メモリセルの閾値の分布を求め、得られた閾値の分布に基づいて第2のリファレンスセルを設定するリファレンスセル設定部を備える。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
メモリセルアレイと、第1のリファレンスセルと第2のリファレンスセルを含むリファレンスセルと、前記第1のリファレンスセルと前記第2のリファレンスセルとから平均リファレンス電流を求め、前記平均リファレンス電流と前記メモリセルアレイの各メモリセルの読み出し電流とを大小比較することで読み出しデータを判定するデータ判定制御部とを有する不揮発性半導体記憶装置であって、
前記第1のリファレンスセルに基づいて前記メモリセルアレイをプログラムベリファイすることで各メモリセルの閾値の分布を求め、得られた閾値の分布に基づいて前記第2のリファレンスセルを設定するリファレンスセル設定部を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C17/00 624
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 622Z
5B025AC04
, 5B025AD07
, 5B025AE08
