特許
J-GLOBAL ID：200903070378836941

配線形成方法

発明者：
長谷井 宏宣

長谷井 宏宣 について

, 
平井 利充

平井 利充 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-276519
公開番号（公開出願番号）：特開2007-049186
出願日： 2006年10月10日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】インクジェット法により形成される膜パターンに、断線や短絡等の欠陥の発生を抑止できる配線形成方法を提供する。【解決手段】導電性微粒子を含有した液体からなる液滴L1,L2を、基板11上の所定の配線形成領域に吐出して配線を形成する配線形成方法であって、液滴L1,L2を吐出する前に、基板11上に表面処理を行う表面処理工程を有し、表面処理された基板11上に、基板11上に配置した直後の液滴L1の直径よりも大きく且つ、液滴L1の直径の2倍以下であって、液滴L1同士がつながらない配置ピッチで、液滴L1を配置する第1配置工程と、第1配置工程で配置された液滴L1どうしの間を埋めるように、基板11上に液滴L2を着弾させる第2配置工程と、液滴L1,L2同士の間が埋められた状態で、熱処理又は光処理によって液滴L1,L2を導電膜に変換する工程と、を有する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
導電性微粒子を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の配線形成領域に吐出して配線を形成する配線形成方法であって、 前記液滴を吐出する前に、前記基板上に表面処理を行う表面処理工程を有し、前記表面処理工程によって、前記液滴の前記基板上への吐出後の接触角が15度以上45度以下に設定されてなり、 前記表面処理された前記基板上に、前記基板上に配置した直後の前記液滴の直径よりも大きく且つ、前記液滴の直径の2倍以下であって、前記液滴同士がつながらない配置ピッチで、前記液滴を配置する第1配置工程と、 前記第1配置工程で配置された前記液滴どうしの間を埋めるように、前記基板上に前記液滴を着弾させる第2配置工程と、 前記液滴同士の間が埋められた状態で、熱処理又は光処理によって前記液滴を導電膜に変換する工程と、 を有することを特徴とする配線形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/134 ,  B05D 1/26 ,  B05D 5/12
FI (7件)：
H01L21/88 B ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 B ,  G02F1/1343 ,  B05D1/26 Z ,  B05D5/12 B
Fターム (54件)：
2H092GA11 ,  2H092HA00 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JB21 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092NA15 ,  2H092NA16 ,  2H092PA01 ,  4D075AC06 ,  4D075BB21Z ,  4D075BB41Z ,  4D075CA22 ,  4D075CA35 ,  4D075CB38 ,  4D075DA06 ,  4D075DC21 ,  4D075EA10 ,  4D075EB01 ,  4D075EC10 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH40 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV15
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第5132248号明細書
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM