特許
J-GLOBAL ID：200903070381266714
半導体微細加工方法及び微細加工装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356792
公開番号（公開出願番号）：特開平11-185692
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【目的】 深さ方向に制御可能で、原子レベルで平坦な表面を維持しながら半導体試料の表面を微細加工する。【構成】 試料溶解可能な溶液1に半導体試料2を接触させ、開放電位よりもカソード側に試料2の電位を維持する。距離制御サーボ回路10を非作動状態にしたままで探針3を装着した駆動素子6に電圧を重畳し、重畳電圧に対応した探針3の移動距離を制御することにより、探針3を使用2の表面に接触させ、試料表面から単数又は複数の原子を取り除く。【効果】 極めて線幅の狭い配線を半導体表面に形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体試料を溶解可能な溶液に接触させ、半導体試料を開放電位よりもカソード側の電位に維持し、半導体試料と探針との間にトンネル電流が流れる程度に探針を半導体素子に接近させ、探針を装着した駆動素子に電圧を重畳して探針を半導体試料に接触させ、半導体試料の表面から単数又は複数の原子を探針で取り除くことを特徴とする半導体微細加工方法。
IPC (3件)：
H01J 37/30
, G01N 37/00
, H01L 21/3065
H01J 37/30 Z
, G01N 37/00 B
, H01L 21/302 J
