特許
J-GLOBAL ID：200903070387393742
プラズマ処理方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102943
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242130
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 シリコン酸化膜やシリコン窒化膜のエッチングガスである、PFC(パーフルオロカーボン)、HFC(ハイドロフルオロカーボン)は環境規制により、今後使用が制限もしくは入手が困難なことが予想される。【解決手段】 エッチングの原料ガスとして、フッ素を構成元素とするガスを導入し、プラズマ処理するその領域で、固体の状態の炭素112にフッ素を含むガスのプラズマを反応させ、CF4やCF2、CF3、C2F4などの分子状の化学種を生成し、この化学種でエッチングする。【効果】 プロセスウインドウを広く保ちながら、大きなエッチング速度、高選択性を得ることができる。
請求項（抜粋）：
処理室内にガスを導入する工程と、前記処理室内に設けられた所定の材料からなる固体の物質に電圧を印加する工程と、前記ガスをプラズマ化し、前記ガスと前記固体の物質とを反応させる工程と、前記プラズマにより前記処理室内に載置された被加工物を処理する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (7件)：
H01L 21/3065
, C23C 14/34
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
, H01L 21/203
H01L 21/302 A
, C23C 14/34 U
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H05H 1/46 M
, H01L 21/203 S
