特許
J-GLOBAL ID：200903070394608142
デュアル・リード・ポートを含む埋め込みMRAM
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316982
公開番号（公開出願番号）：特開2001-175641
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 埋め込みMRAMを有する処理装置,およびその製造方法を提供する。【解決手段】 処理装置は、半導体チップ上に作成されたデータ処理素子(10)を含み、チップ上にMRAMセルを作成してチップ上の1つないし全てのメモリを形成する。また、データ処理素子(10)と通信するデュアル・バンク・メモリ(31,32),ならびにデータ処理素子およびデュアル・バンク・メモリに結合され、データ・バンク・メモリに対する同時リード・アクセスを与える回路も含む。
請求項（抜粋）：
埋め込みMRAMを有する処理装置であって:半導体チップ上に製造されたデータ処理素子(10);および前記チップ上に、前記データ処理素子と通信する、データ・メモリ(15),プログラムまたは命令メモリ(16),ブート・メモリ(17),キャッシュ・メモリ,および制御シフト・レジスタ(11)の少なくとも1つとして製造されたMRAMセル;から成ることを特徴とする埋め込みMRAMを有する処理装置。
IPC (4件)：
G06F 15/78 510
, G06F 12/06 550
, G06F 12/08 511
, G06F 12/08 553
G06F 15/78 510 A
, G06F 12/06 550 B
, G06F 12/08 511 D
, G06F 12/08 553 B
