特許
J-GLOBAL ID:200903070401265280

膜と吸着を連続して用いる半導体製造における排ガスからのフッ素化合物の分離方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-144534
公開番号(公開出願番号):特開2000-334249
出願日: 1999年05月25日
公開日(公表日): 2000年12月05日
要約:
【要約】【課題】 希釈剤ガスとパーフルオロガスの分離・回収・再利用方法。【解決手段】 (a) 希釈剤ガスとフッ素系化学薬品を含むガス流を圧縮し、(b)該圧縮ガス流を、透過流のフラックスを増加させ、又フッ素系化学薬品の透過に比して希釈剤ガスの透過に対する膜の選択性を増大させるのに十分な温度まで加熱し、(c) 該ガス流を選択性透過膜に接触させ、希釈剤ガスの豊富な第2の透過流とフッ素系薬品の豊富な不透過物を得、(d) より透過選択性の1又は2以上の追加膜に該不透過物を接触させ、(e) 該第2の透過流を(a) にリサイクルして当初のガス流と混合圧縮し、(f) 精製された希釈剤ガスを排気し、更に富化したフッ素系薬品流を吸着システムに通過し、更に(g) 脱着してフッ素系化学薬品がより富化した流れを製品流とする、フッ素系化学薬品を分離回収する方法。
請求項(抜粋):
下記の工程を含む、希釈剤ガスとフッ素系化学薬品を含むガス流を膜に接触させて、該ガス流からフッ素系化学薬品を分離回収する方法。(a) 希釈剤ガスとフッ素系化学薬品を含むガス流をある上昇圧まで圧縮する工程、(b) 工程(c)の透過流のフラックスを増加させ、又工程(c)のフッ素系化学薬品の透過に比べて、工程(c)の希釈剤ガスの透過に対する、工程(c)の膜の選択性を増大させるのに十分なある昇温温度まで、希釈剤ガスとフッ素系化学薬品を含む前記ガス流を加熱する工程、(c) フッ素系化学薬品に比べて、希釈剤ガスに対して、より透過選択性を有する膜に前記ガス流を接触させて、希釈剤ガスの豊富な透過流とフッ素系化学薬品の豊富な不透過物を生成する工程、(d) フッ素系化学薬品に比べて、希釈剤ガスに対して、より透過選択性を有する1又は2以上の追加膜に前記不透過物を接触させて、希釈剤ガスの豊富な第2の透過流とフッ素系化学薬品の豊富な第2の不透過物を生成する工程、(e) 前記第2の透過流を工程(a)にリサイクルして、希釈剤ガスとフッ素系化学薬品を含む前記ガス流と共に、ある上昇圧に圧縮する工程、(f) フッ素系化学薬品の豊富な第2の不透過物を吸着システムに通過させ、より豊富化された希釈剤(ガス)を排気し、フッ素系薬品の更に豊富化された流れを吸着する工程、及び(g) フッ素系化学薬品の更に豊富化された前記流れを脱着して製品流とする工程。
IPC (4件):
B01D 53/22 ,  B01D 53/04 ,  B01D 53/70 ,  B01D 63/00
FI (4件):
B01D 53/22 ,  B01D 53/04 Z ,  B01D 63/00 ,  B01D 53/34 134 E
Fターム (63件):
4D002AA22 ,  4D002AC10 ,  4D002BA02 ,  4D002BA04 ,  4D002BA12 ,  4D002BA20 ,  4D002CA01 ,  4D002CA07 ,  4D002CA13 ,  4D002DA41 ,  4D002DA45 ,  4D002EA02 ,  4D002EA08 ,  4D002FA01 ,  4D002GA03 ,  4D002GB03 ,  4D002GB04 ,  4D006GA41 ,  4D006JA52A ,  4D006JA58A ,  4D006JA66A ,  4D006KA02 ,  4D006KA15 ,  4D006KA16 ,  4D006KA52 ,  4D006KA54 ,  4D006KA57 ,  4D006KA63 ,  4D006KA71 ,  4D006KB12 ,  4D006KB18 ,  4D006KB19 ,  4D006KE07Q ,  4D006KE16Q ,  4D006MA01 ,  4D006MA03 ,  4D006MB04 ,  4D006MC17 ,  4D006MC18 ,  4D006MC19X ,  4D006MC22 ,  4D006MC23 ,  4D006MC28 ,  4D006MC54 ,  4D006MC58 ,  4D006MC59 ,  4D006MC62X ,  4D006MC65 ,  4D006PA01 ,  4D006PB19 ,  4D006PB63 ,  4D006PB70 ,  4D006PC01 ,  4D012BA02 ,  4D012BA03 ,  4D012CA12 ,  4D012CB16 ,  4D012CD07 ,  4D012CF03 ,  4D012CF04 ,  4D012CH04 ,  4D012CH08 ,  4D012CH10
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る