半導体装置およびその製造方法および固体撮像装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-087384
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284167
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】LDD構造のMOSトランジスタを形成するにあたり、LDD構造形成過程で必要なサイドウオールスペーサの応力の問題を解消すること。【解決手段】第1の導電性を有する半導体基板Sub 上に、この半導体基板と異なる極性のソース領域およびドレイン領域用の第2の導電性領域を形成し、前記半導体基板上におけるこれらソース領域用の第2の導電性領域とドレイン領域用の第2の導電性領域間に跨る領域にゲート電極Gを形成すると共にゲート電極G脇にサイドウオールスペーサSws を形成し、第2の導電性の不純物を前記第2の導電性領域に注入して第2の導電性領域に高濃度不純物領域を形成し、Sws 下にこの高濃度不純物領域からチャネル領域方向に伸びる低濃度不純物領域を形成したLDD構造のMOSトランジスタを形成してなる半導体装置において、Sws は多結晶シリコンで形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の導電性を有する半導体基板上に、この半導体基板と異なる極性のソース領域およびドレイン領域用の第2の導電性領域を形成し、前記半導体基板上におけるこれらソース領域用の第2の導電性領域とドレイン領域用の第2の導電性領域間に跨る領域にゲート電極を形成すると共に、ゲート電極脇にサイドウオールスペーサを形成し、第2の導電性の不純物を前記第2の導電性領域に注入することにより、第2の導電性領域に高濃度不純物領域を形成し、サイドウオールスペーサ下にこの高濃度不純物領域からチャネル領域方向に伸びる低濃度不純物領域を形成したLDD構造のMOSトランジスタを形成してなる半導体装置において、前記サイドウオールスペーサは多結晶シリコンで形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 21/266 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/14 A , H01L 21/265 M , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-337611 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-274851 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭59-198755

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