特許
J-GLOBAL ID：200903070416345582

酸化物被膜形成用塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法

発明者：
森嶋 浩之

森嶋 浩之 について

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山本 靖浩

山本 靖浩 について

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野部 茂

野部 茂 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338327
公開番号（公開出願番号）：特開平9-176574
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：
【要約】【課題】 塗布均一性に優れ、熱的に安定な酸化物被膜を形成することができる酸化物被膜形成用塗布液、均一で熱的に安定な酸化物被膜の製造法及び均一で熱的に安定な酸化物被膜を有する半導体装置の製造法を提供する。【解決手段】 (A)一般式(I)【化1】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、R′は炭素数1〜3のアルキル基、mは0、1または2を意味する)で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する1価アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後、50〜200°Cで乾燥し、ついで300〜1000°Cで焼成することを特徴とする酸化物被膜の製造法及びこの塗布液を、半導体素子表面上に塗布後、50〜200°Cで乾燥し、ついで300〜1000°Cで焼成して酸化物被膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造法。
請求項（抜粋）：
(A)一般式(I)【化1】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、R′は炭素数1〜3のアルキル基、mは0、1または2を意味する)で表されるアルコキシシラン化合物を溶媒の存在下に加水分解及び縮重合させ、加水分解によって生成する1価アルコールを除去してなる酸化物被膜形成用塗布液。
IPC (4件)：
C09D183/04 PMS ,  B05D 7/24 302 ,  C08G 77/06 NUA ,  C23C 22/00
FI (4件)：
C09D183/04 PMS ,  B05D 7/24 302 Y ,  C08G 77/06 NUA ,  C23C 22/00 Z
引用特許：
審査官引用 (7件)
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