特許
J-GLOBAL ID：200903070419449354
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061421
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264482
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 不純物拡散層が非常に浅くなっても、接合リークを増加させずに低抵抗の高融点金属シリサイドを自己整合的に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 Si基板上のゲート酸化膜14上にポリSi膜16を形成して不純物をイオン注入後、パターニングしてゲート電極18を形成しSiO2膜を堆積後ゲート電極の側壁20を形成する。前記両者をマスクとしてAsをイオン注入しS/D領域の不純物拡散層22を形成する。表面酸化膜を弗酸で除去後Co膜24とTiN膜26を連続スパッタする。次に550°C30秒間の第1熱処理でCoSi膜28を形成後未反応のCo膜を除去し、従来通り第2熱処理を750°C30秒間行ってCoSi膜を低抵抗化すれば、不純物拡散層が0.1μm以下に浅くなった場合、CoSi膜28直下のpn接合の逆方向I-V特性は極めてばらついた。しかし第2熱処理後第3の熱処理を800°C30秒間行うと上記の変動は大幅に減り特性は改善された。
請求項（抜粋）：
不純物拡散層上に高融点金属膜を堆積する高融点金属膜堆積工程と、第1の温度で熱処理することにより、前記不純物拡散層上に高融点金属シリサイド膜を形成する第1の熱処理工程と、前記第1の熱処理工程において反応しなかった前記高融点金属膜を除去する高融点金属膜除去工程と、第1の温度より高い第2の温度で熱処理を行う第2の熱処理工程と、第2の温度より高い第3の温度で熱処理を行う第3の熱処理工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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